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東芝將開始量產新一代NAND快閃記憶體

-將供應採用第二代19納米工藝技術打造的全球最小的64吉比特NAND存儲晶片-

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今日宣佈,該公司已經開發出第二代19納米工藝技術,該技術將於本月晚些時候用於量產每單元2比特的64吉比特NAND存儲晶片。

東芝已經使用該新一代技術開發出全球最小的*每單元2比特的64吉比特NAND存儲晶片,晶片面積只有94平方毫米。新一代晶片採用了獨特的高速寫入方法,寫入速度可高達25百萬位元組/秒—是全球速度最快的*每單元2比特晶片。

東芝還在利用該工藝技術開發每單元3比特晶片,並計畫在本財年第二季度投入量產。該公司最初將通過開發一種與eMMC相容的控制器,為智慧手機和平板電腦推出3比特的多級單元產品,隨後會通過開發與固態硬碟(SSD)相容的控制器,將產品的應用範圍擴大到筆記型電腦領域。

NAND快閃記憶體是存儲卡、智慧手機、平板電腦和筆記型電腦等多元化消費品系列的基本構成元素,並越來越多地被部署到企業產品中,包括資料中心的固態硬碟。展望未來,東芝將繼續推進產品創新與開發,成為市場中一家能夠應對各種客戶需求的領先公司。

*資料來源:東芝。截至2013年5月21日。