華邦電 (2344-TW) 今 (28) 日舉行法說會，公布第 2 季毛利率上揚至 32.55%，歸屬母公司淨利季增逾 44%，每股純益 0.28 元，上半年每股純益為 0.47 元。總經理詹東義指出，第 3 季是傳統旺季，預期需求將比第 2 季強，目前公司產能已全被預定，看好第 3 季營運。

 

詹東義預期，下半年 NOR Flash 缺貨情況仍將延續，法人看好，華邦電第 3 季營收與獲利可望持續走揚，下半年營運優於上半年。

 

華邦電第 2 季合併營收 114.11 億元，季增 9%；受惠於需求強勁及報價上漲，單季毛利率 32.55%，季增 3.88 個百分點，年增 4.31 個百分點；歸屬母公司淨利 9.9 億元，季增 44.16%，年增 54.04%，每股純益 0.28 元；累計上半年歸屬母公司淨利 16.76 億元，年增 18.19%，每股純益 0.47 元。

 

詹東義表示，今年預計增加產能，將從每月 4.4 萬片增至 4.8 萬片，其中 DRAM 為 2.6 萬片，Flash 占 2.2 萬片，預計新產第 4 季開出，效益則在第 4 季到明年陸續顯現；此外，自行研發的 3X 奈米預計第 3 季起可開始貢獻營收。

 

華邦電今年資本支出原預計是 174 億元，但因部分設備交期遞延，將小幅下修至 170 億元；預估今年 DRAM 位元產出年增 1%，明年則成長 13%，今年NOR 位元產出年增 26%，明年則是 16%。

 

詹東義表示，目前 DRAM 大環境健康，價格預計可微幅上調，至於 Flash 部分，預期到今年底都將呈現缺貨，預計市場新產能開出的時間點落在 2018 年，對中國明年開出產能及新產能的品質仍有待觀察。需求部分，預期明年整體市場需求仍將持續增加。

 

華邦電指出，記憶體事業群部份，第 2 季各產品線占營收比例分別為，利基型記憶體 (Specialty DRAM) 占季營收 42%，季增 5%，營收成長幅度仍受限於產能。

 

 

行動記憶體 (Mobile DRAM) 占季營收 13%，季減 5%，主因客戶產品機型轉換導致該產品線需求減少；快閃記憶體 (Flash Memory) 占季營收 45%，季增17%，成長動能來自產品組合調整及價格上揚，且來自多樣化應用的 Flash 需求將持續增加。