-将供应採用第二代19纳米工艺技术打造的全球最小的64吉比特NAND存储晶片-

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今日宣佈，该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术，该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储晶片。

东芝已经使用该新一代技术开发出全球最小的*每单元2比特的64吉比特NAND存储晶片，晶片面积只有94平方毫米。新一代晶片採用了独特的高速写入方法，写入速度可高达25百万位元组/秒—是全球速度最快的*每单元2比特晶片。

东芝还在利用该工艺技术开发每单元3比特晶片，并计画在本财年第二季度投入量产。该公司最初将通过开发一种与eMMC相容的控制器，为智慧手机和平板电脑推出3比特的多级单元产品，随后会通过开发与固态硬碟(SSD)相容的控制器，将产品的应用范围扩大到笔记型电脑领域。

NAND快闪记忆体是存储卡、智慧手机、平板电脑和笔记型电脑等多元化消费品系列的基本构成元素，并越来越多地被部署到企业产品中，包括资料中心的固态硬碟。展望未来，东芝将继续推进产品创新与开发，成为市场中一家能够应对各种客户需求的领先公司。

*资料来源：东芝。截至2013年5月21日。