东京–东芝公司(东京：6502)今天宣佈，在公司原有NANO FLASH™的基础上，它已开发出应用于嵌入式微控制器的具有更快存取速率的 NANO FLASH™-100快闪记忆体。

开发背景：

嵌入式微控制器的多功能性和高速存取能力需要以具备更快存取速率的快闪记忆体为基础。东芝已经充分认识到这一点并为此开发了NANO FLASH™，这款产品具有两大特点：高速编程 (基于NAND快闪记忆体装置技术); NOR 快闪记忆体电路技术。随后，东芝将这些高级性能应用于其原来的微控制器和 ARM 内核的微控制器产品中。现在，随着越来越多的用户使用ARM内核微控制器，市场对于更快更大存储能力的需求日益增加。 NANO FLASH™-100快闪记忆体则可以完全满足市场的这一需求。

特徵：

最新开发的NANO FLASH™-100实现了以100MHz运行时随机存取的零等待时间(注 1),这是目前业内的最高水准。这就使得ARM微控制器内核完全满足了需要进行高速和大容量存储的应用对于高性能和高代码密度的要求。

使用超低功耗技术纳米闪存™微控制器,广泛的高速度、低功耗应用的发展是可用的。

东芝将继而推出首款使用NANO FLASH™-100的TMPM440F10XBG，它是拥有额外ARM内核的产品（M4）使用 NANO FLASH™微控制器的超低功率技术，即可实现各种高速、低功率应用的开发。

注 1: 根据东芝对于嵌入式微控制器快闪记忆体的调查 (截止于2013年1月)

注 2: ARM和Cortex是ARM有限公司在欧洲和其他国家的商标或注册商标。

注 3: NANO FLASH是东芝公司的商标。